Intel начала монтаж оборудования на фабрике Fab 62 в Аризоне и поделилась планами развития

Компания Intel сообщила о переходе к новому этапу развития собственной производственной инфраструктуры в Соединенных Штатах, начав установку технологического оборудования на предприятии Fab 62 в штате Аризона. Данный шаг подтверждает, что компания активно расширяет свою производственную базу.

Одновременно с этим представители корпорации раскрыли актуальные данные о строительстве комплекса в штате Огайо и подтвердили практическое внедрение передовой литографии с высокой числовой апертурой в массовое производство полупроводников.

Развитие предприятия Fab 62 в Аризоне

Корпорация завершила основные строительные работы по возведению корпуса Fab 62 и приступила к монтажу производственных линий. Запуск полноценной работы предприятия намечен на период до конца 2028 года, хотя точные сроки начала массового выпуска продукции и конкретные технологические нормы пока не уточняются в официальных источниках.

Изначально при анонсе объектов Fab 52 и Fab 62 планировалось задействовать обе площадки под самые передовые техпроцессы, включая стандарты Intel 20A и 18A. Позднее за Fab 52 закревили выпуск продукции по техпроцессу 18A, тогда как судьба Fab 62 оставалась открытой.

Перспективы техпроцессов на новой площадке

С учетом актуальной дорожной карты предприятие Fab 62 способно выпускать полупроводники по нормам 18A, его модифицированным версиям, а также по техпроцессу 14A. Соседняя фабрика Fab 52 уже занята производством чипов 18A, поэтому Fab 62 может получить либо дополнительные мощности для этого же техпроцесса, либо линии под микросхемы следующего поколения.

Новый завод станет шестым крупносерийным предприятием на территории кампуса Окотильо. Точные объемы выпускаемой продукции и финансовые вложения в завершение проекта пока не раскрываются, однако сам факт поставки оборудования свидетельствует о переходе проекта в финальную стадию готовности.

Интеграция литографии High-NA EUV

Важным технологическим достижением стало внедрение сканеров High-NA EUV в коммерческое производство. Компания первой установила такое оборудование на исследовательском объекте D1X в Орегоне и задействовала его при выпуске кремниевых пластин для процессоров Panther Lake.

Особенности использования нового оборудования

Использование передовой литографии на опытном заводе позволяет инженерам детально изучить особенности работы сложных систем. На данном этапе сканеры High-NA EUV применяются для создания тех же схем, что и предыдущее поколение Low-NA EUV, поэтому радикального преимущества в производительности пока не наблюдается.

Строительные работы на объекте Ohio One

Параллельно продолжается возведение крупного производственного комплекса Ohio One в Нью-Олбани, штат Огайо. На строительной площадке первой фабрики установлена ключевая несущая ферма, что стало знаковым событием для реализации проекта на Среднем Западе.

Руководство пока не предоставило обновленный график строительных работ и не назвало дату запуска первой линии, а также применяемые техпроцессы. Тем не менее, работы на площадке продолжаются, хотя сроки полноценного ввода предприятия в эксплуатацию остаются неопределенными.

Инвестиции в американскую инфраструктуру и цепочки поставок

Помимо расширения фабрик по выпуску полупроводников, компания развивает направления передовой упаковки и производства фотошаблонов. Основным центром исследований в сфере трехмерных межсоединений остается Орегон, а в Нью-Мексико налажен выпуск сложных многокристальных процессоров с использованием технологий EMIB и Foveros.

В Санта-Кларке, штат Калифорния, началось строительство нового предприятия по выпуску фотошаблонов. Это позволит сохранить статус единственного в стране производителя, способного полностью разрабатывать и выпускать чипы по передовым нормам на территории США, опираясь на сеть из более чем 4500 поставщиков в различных штатах.