Позвонить +375296917685
Написать sergey@bagrov.by

Связаться со мной

Мой блог

Листай вниз

Прямой стекинг DRAM против HBM: как PieceMakers меняет память для ИИ

Теги :

Материал посвящён теме «Прямой стекинг DRAM против HBM: как PieceMakers меняет память для ИИ». Ниже последовательно разберём главные вопросы, важные детали и практический контекст, чтобы легче ориентироваться в теме и понять логику дальнейшего изложения.

Новая веха на рынке памяти: выход PieceMakers на биржу и смена парадигмы

Тайваньский разработчик DRAM-памяти PieceMakers, ключевым инвестором которого выступает компания Nanya Technology, официально вышел на площадку Emerging Stock Board Тайваньской биржи. Начальная справочная цена составила 740 тайваньских долларов (NT$), а капитализация компании при объеме порядка 60,4 миллиона акций оценивается в 44,7 миллиарда NT$ (около 1,4 миллиарда долларов США). В ходе торгов стоимость ценных бумаг поднималась до 1035 и 1205 NT$, зафиксировав закрытие сессии на отметке 915 NT$ — это на 23,6% выше стартовой цены. Nanya, реализовав 715 тысяч акций для формирования начального объема обращения, сохраняет за собой 33,96% акций компании.

Однако главное внимание привлекла не финансовая оценка, а архитектурный вектор PieceMakers. Компания не пытается конкурировать в секторе классической HBM-памяти для обучения нейросетей. По словам президента PieceMakers Ли Сяовэня, потребности задач исполнения (инференса) кардинально отличаются от обучения. Разработчики делают ставку на прямую вертикальную интеграцию микросхем DRAM поверх процессора с использованием гибридного соединения (hybrid bonding). Данная концепция занимает нишу между сверхскоростными, но ограниченными по объему SRAM-чипами и дорогостоящими стеками HBM.

Чем занимается PieceMakers: от стандартных модулей к NRE-контрактам

Основанная в январе 2006 года в Синьчжу (Тайвань) под руководством председателя Джозефа Тина и президента Ли Сяовэня, компания PieceMakers долгие годы специализировалась на разработке стандартных чипов SDR/DDR DRAM и тестированных кристаллов (KGD — Known Good Die). Основными каналами сбыта выступали представители в Китае, Японии, Франции, Турции и Израиле.

Сравнение архитектур памяти HBM и direct bonding — Сравнение классической компоновки 2.5D HBM и прямого трехмерного монтажа кристаллов памяти.

Чипсеты памяти DRAM для локальных ИИ устройств — Индивидуально спроектированные модули памяти HBLL обеспечивают пропускную способность до 144 ГБ/с.

Сегодня предприятие трансформирует бизнес-модель: акцент смещается с прямой продажи чипов на предоставление услуг по проектированию заказных микросхем за фиксированную плату (NRE, Non-Recurring Engineering), лицензирование интеллектуальной собственности (IP), получение роялти и организацию контрактного производства «под ключ» с 2027 года. Доля доходов от проектов в области ИИ выросла с 4% в 2024 году до почти 40% в первой половине 2026 года.

Сравнение скоростей SRAM и HBM4 в ускорителях инференса — Сопроцессор Groq 3 LPU с памятью SRAM сопоставляется с новыми решениями прямой интеграции DRAM.

Технологическим фундаментом компании являются два ключевых решения:

Многослойный стек DRAM с пропускной способностью свыше 2 ТБ/с — Трехмерный стек памяти HiBaLL обеспечивает задержки менее 20 нс при прямом монтаже на процессор.

HBLL (High Bandwidth, Low Latency RAM): двухмерный кристаллографический проект с пропускной способностью 144 ГБ/с, созданный в 2016 году для высокопроизводительных вычислений Intel и представленный на конференции ISSCC в 2017 году.
HiBaLL: трехмерная трехмерно-стекированная версия HBLL, декларируемая пропускная способность которой превышает 1 ТБ/с.

Среди заказчиков компании — международные разработчики ускорителей облачного ИИ-инференса и крупные североамериканские чипмейкеры. В июне 2026 года логотип PieceMakers появлялся на презентации генерального директора Qualcomm Криса Амона в числе партнеров тайваньской экосистемы, хотя формальные детали сотрудничества пока не разглашались.

Линия тестирования кристаллов Known Good Die на заводе — Тестирование кристаллов KGD перед процессом гибридного соединения с логической пластиной.

Тайваньский полупроводниковый кластер и Nanya Technology — Разработчик PieceMakers опирается на производственную базу партнеров Nanya и Formosa Advanced Technologies.

Альтернативная стратегия Nanya: фокусировка на Edge AI вместо HBM3E

Пока гиганты индустрии ведут гонку за HBM3E и HBM4 для дата-центров, Nanya выстраивает альтернативную экосистему для периферийных ИИ-устройств (Edge AI). В августе 2025 года Nanya совместно с тайваньским разработчиком Etron Technology создала совместное предприятие с капиталом 500 миллионов NT$ (доли 80/20), нацеленное на проектирование специализированной памяти с высокой пропускной способностью для локальных ускорителей.

График структуры доходов компании от NRE сборов — Рост доли ИИ-проектов в выручке PieceMakers достиг 40% в первом полугодии 2026 года.

Кремниевый интерпозер против прямого Wafer-on-Wafer монтажа — Гибридное соединение медь-медь устраняет необходимость в микровыводах и сокращает длинные связи.

Президент Nanya Пэй-Ин Ли ранее подтвердил, что компания не намерена прямым образом соперничать в сегменте HBM3/HBM3E. Для реализации трехмерной упаковки и формирования кремниевых межслойных переходов (TSV) используется производственная база компании Formosa Advanced Technologies (структура Formosa Plastics Group). Существенный рост цен на традиционную DRAM-память позволил Nanya сформировать устойчивый финансовый резерв, сделав инвестицию в PieceMakers высокодоходным венчурным активом.

Пластина с чипами памяти после процесса травления — Технология создания вертикальных каналов связи сквозь кремний для вертикального стекинга.

Запросы инференса: разрыв между SRAM и HBM

Рынок чипов для исполнения нейросетей демонстрирует четкое разделение требований к подсистеме памяти. Наглядным примером служит сопроцессор Nvidia Groq 3 LPU, представленный на конференции GTC после сделки по лицензированию технологий Groq на сумму 20 миллиардов долларов. Чип Groq 3 LPU полностью лишен как DRAM, так и HBM: он опирается на 512 МБ встроенной SRAM-памяти непосредственно на кристалле.

График выхода годных кристаллов при многослойном стекинге — При выходе 80% на слой итоговый процент годных 8-слойных стеков не превышает 17%.

Это обеспечивает колоссальную пропускную способность в 150 ТБ/с (против 22 ТБ/с у стеков HBM4 на графическом процессоре Rubin), что дает возможность обрабатывать 3431 токен в секунду на модели из 31 млрд параметров с контекстом 100K. Однако платой за скорость становится емкость: стойка из 256 сопроцессоров LPU содержит суммарно лишь 128 ГБ памяти, а для размещения весов одной модели требуется от 62 чипов даже при квантовании FP8.

Партнерство Nanya и Etron Technology в Edge AI — Разработка решений высокоскоростной памяти для автономных систем и Edge AI чипов.

Серверные стойки ИИ оборудования и подсистема памяти — Баланс емкости и задержек памяти определяет эффективность больших языковых моделей.

Подход PieceMakers ориентирован именно на устранение этой узкой ниши: предоставить существенно большую емкость, чем у SRAM, но при значительно меньшей стоимости, энергопотреблении и задержках по сравнению с традиционными стеками HBM.

Концепция памяти Samsung zHBM на чипе — Сравнение планов ведущих производителей по внедрению технологии hybrid bonding.

Прямой стекинг поверх процессора (Wafer-on-Wafer)

В отличие от классической компоновки 2.5D, где стеки HBM располагаются рядом с логическим кристаллом на кремниевом интерпозере, технология PieceMakers предполагает прямой монтаж стека DRAM поверх процессора методом гибридного межатомного соединения медь-медь (wafer-on-wafer) без использования микровыводов (microbumps).

Чип со встроенными блоками восстановления памяти — Интеллектуальная собственность PieceMakers в области ремонта кристаллов повышает выходы годных изделий.

Такое решение обеспечивает ультракороткий путь прохождения сигнала, сокращает задержки до уровня менее 20 нс и обеспечивает пропускную способность свыше 2 ТБ/с на каждый слой DRAM-памяти. В то время как Samsung анонсировала концепцию zHBM (прямой стекинг DRAM на SoC со снижением энергопотребления I/O на 70%) без точных сроков реализации, а SK hynix отложила массовое внедрение гибридного соединения до поколения HBM5 (не ранее 2029–2030 годов по оценкам Counterpoint Research), PieceMakers планирует запуск первых коммерческих программ заказчиков на 2027 год.

Высокоскоростной интерфейс межпроцессорного взаимодействия — Прямой монтаж DRAM поверх логики обеспечивает скорость передачи свыше 1 ТБ/с.

Торги акциями PieceMakers на бирже Emerging Stock Board — Акции PieceMakers подорожали на 23,6% в первый день торгов на Тайваньской бирже.

Критический фактор: выход годных кристаллов и бизнес-модель

Как отмечает Ли Сяовэн, главным технологическим барьером при прямом стекинге пластина-на-пластину является выход годных изделий (yield rate). Поломка или дефект хотя бы одного слоя DRAM приводит к браковке всей многослойной сборки вместе со сложным логическим процессором.

Модуль обработки нейросетевых моделей на краю сети — Периферийные устройства ИИ требуют низкого энергопотребления при высокой локальной памяти.

Чип процессора под микроскопом с видимыми контактами — Плотность контактов при гибридном соединении на порядки превосходит стандартные микровыводы.

При выходе годных кристаллов на уровне 80% для одного слоя, итоговый процент исправных микросхем для 4-слойной структуры падает до 41%, а для 8-слойной — до скромных 17%.

Дорожная карта SK hynix по внедрению HBM5 — Внедрение массового гибридного соединения в HBM ожидается не ранее 2029–2030 годов.

Именно поэтому PieceMakers акцентирует внимание на продаже технологий встроенного восстановления (repair IP) и поставляемых проверенных кристаллов (KGD). Перенося риски непосредственного производства на фаундри и заказчиков, PieceMakers защищает свою бизнес-модель: выручка формируется за счет инженерных NRE-сборов и роялти. Первые серийные отгрузки по заказным контрактам запланированы на 2027 год, а финансовые показатели Nanya за третий квартал 2026 года позволят более детально оценить динамику доходов этого направления.

Источник: www.tomshardware.com

01.