Производственная дорожная карта подразделения полупроводники Samsung распределена между двумя странами и четырьмя ключевыми площадками: от корейских баз в Пхёнтхэке, Хвасоне и Кихыне до нового американского предприятия в Тейлоре. Компания приступила к массовому выпуску своего техпроцесса первого поколения с нормами 2 нм в 2025 году, весной того же года завезла оборудование на долгое время откладывавшуюся фабрику в Тейлоре (штат Техас) и в июле 2025 года заключила контракт на производство процессоров искусственного интеллекта Tesla AI6 на сумму 16,5 млрд долларов. Тем не менее, ни один из этих шагов не позволил сократить технологическое отставание от тайваньского гиганта TSMC. Официальное подтверждение рубежа в 2 нм прозвучало в финансовом отчете за четвертый квартал 2025 года — в том же документе, где было объявлено о возвращении литейного подразделения к прибыльности на фоне получения заказов на логические кристаллы HBM4. В то же время по выручке это направление по-прежнему уступает TSMC примерно в 11 раз, а выход годной продукции на техпроцессе 2 нм держится на отметке около 55%, что ниже порога, необходимого для рентабельной работы с передовыми нормами.

Главным водоразделом между Samsung и TSMC выступают вовсе не сами фабрики или наличие заказчиков, а именно процент выхода годных кристаллов. Южнокорейская корпорация долгое время могла позволить себе компенсировать эти издержки благодаря тому, что ее контрактное производство входит в состав дивизиона Device Solutions наряду с полупроводниковым бизнесом памяти, который демонстрирует рекордные доходы. Предприятие не публикует отдельную финансовую отчетность по литейному направлению, что обеспечило ему многолетний запас прочности, недоступный независимым игрокам рынка, работающим исключительно по контрактной модели.

Предприятие в Тейлоре, штат Техас

Проект Samsung в Тейлоре выступает центральным элементом всей стратегии и одновременно главным источником проблем компании на протяжении долгого времени. Общая стоимость всего комплекса, включающего две фабрики, предприятие по передовой упаковке и научно-исследовательский центр, оценивается примерно в 44 млрд долларов, причем доля, связанная с американским финансированием, превышает 37 млрд долларов. Изначально заявленная сумма субсидий в рамках закона CHIPS Act была пересмотрена в сторону уменьшения с 6,4 млрд до 4,745 млрд долларов из-за сужения масштабов проекта, тогда как власти Техаса добавили около 250 млн долларов в виде региональных стимулов в сентябре прошлого года.

Строительные работы фактически замораживались на протяжении 2024 и в течение 2025 годов. Сообщения СМИ того периода связывали остановку с отсутствием контрактных клиентов и техническими трудностями с выходом годных кристаллов на том техпроцессе, под который создавалось предприятие. Весной состоялась официальная церемония завоза оборудования, и теперь на площадке планируется развернуть третье поколение техпроцесса SF2P+ с нормами 2 нм. Пробное производство намечено на конец 2026 года, полноценный массовый выпуск — на 2027 год, а целевой показатель мощности должен составить около 50 000 обрабатываемых кремниевых пластин в месяц.

Ключевым заказчиком фабрики выступает компания Tesla: в рамках восьмилетнего соглашения, рассчитанного до 2033 года, Samsung займется выпуском ее чипов AI6. При этом запуск микросхем AI6 сдвинулся примерно на шесть месяцев из-за задержки инженерного цикла на линии 2 нм, что переносит полноценный выпуск больших объемов на конец 2027 года.

Пхёнтхэк

Пхёнтхэк остается крупнейшей производственной базой компании, состоящей из нескольких линий с индексами от P1 до P5. В ближайшей перспективе основные усилия здесь сосредоточены на линии P4, куда корпорация ускорила завоз оборудования для монтажа линии базовых кристаллов HBM4 на базе техпроцесса 1c DRAM, а также на объекте P5. Строительство P5, изначально замороженное, возобновляется на волне растущего спроса на память для систем искусственного интеллекта. Согласно данным корейской профильной прессы, общие инвестиции в этот проект оцениваются почти в 90 триллионов вон, а запуск производства запланирован на 2029 год.

Масштабное расширение мощностей в Корее происходит на фоне жесткой экономии капитальных затрат. В течение 2024 и 2025 годов поступали сообщения о том, что Samsung резко сократила инвестиции в контрактное производство и рассматривала возможность временной заморозки строительных работ как в Пхёнтхэке, так и в Тейлоре на фоне растущих убытков. Во второй половине 2024 года загрузка литейных мощностей опускалась до 50%, однако впоследствии восстановилась по мере возвращения клиентов.

Разработка в Хвасоне и Кихыне

Непосредственно разработка новых технологических процессов сосредоточена на линии литографии в глубоком ультрафиолете (EUV) в Хвасоне. Кроме того, функционирует новый научно-исследовательский комплекс NRD-K в Кихыне — проект стоимостью около 20 триллионов вон, рассчитанный до 2030 года и полностью ориентированный на исследования и развитие передовых полупроводниковых норм.

Компания установила в Хвасоне исследовательский литографический сканер ASML High-NA EUV (Twinscan EXE:5000) для отработки процессов. Изначально предполагалось приобретение двух систем массового производства EXE:5200, причем вторая поставка ожидалась в первой половине года. Это оборудование предназначалось для техпроцесса SF1.4 и памяти следующего поколения. Однако в секторе логических микросхем планы скорректировали: обновленная дорожная карта сохраняет техпроцесс SF1.4 на оборудовании Low-NA, а сканеры High-NA зарезервированы для поколения 1 нм. Поскольку эта исследовательская база обеспечивает производственные мощности, именно ее результаты определят темпы стабилизации 2 нм и перехода на 1,4 нм.

Линейка технологических процессов Samsung охватывает несколько ключевых этапов. Первое поколение SF2 уже запущено в серийное производство. В текущем году ожидается вариант SF2P, за ним последует модификация SF2P+, предназначенная для предприятия в Тейлоре, а также версия SF2Z с тыловой системой подачи питания, серийный выпуск которой намечен на 2027 год. Узел 1.4 нм (SF1.4), анонсированный на Foundry Forum в 2022 году, изначально планировался к производству в 2027 году. Согласно обновленной дорожной карте, представленной в августе на конференции Next-Generation Lithography + Patterning Conference, официальным сроком теперь назван 2029 год. Это дает компании еще три года на доработку семейства SF2 перед переходом на новый техпроцесс.

На той же конференции впервые официально подтвердили сроки внедрения High-NA EUV в производство: технология придет не на 2 нм или 1.4 нм, а на класс 1 нм (узел SF1A) примерно к 2030 году. Чанг Мин Пак, вице-президент и главный технолог Samsung Electronics, отметил на мероприятии, что High-NA EUV станет необходимым решением для уровня A10 и ниже, добавив, что оборудование нуждается в дальнейшей доработке для обеспечения массового выпуска на более крупных узлах. Узел SF1A будет работать параллельно с SF1.4+ — улучшенным вариантом 1.4 нм, который использует проверенные технологии Low-NA. Это позволит клиентам, опасающимся меньшего поля экспонирования и высокой стоимости High-NA, сохранить привычную технологическую базу.

Как и следовало ожидать, судьба дорожных карт напрямую зависит от показателей выхода годной продукции. По данным профильных отчетов, показатели выхода для 1-го поколения 2 нм росли на протяжении 2025 года, но по состоянию на апрель оставались на отметке около 55%. Этого недостаточно для рентабельного крупносерийного выпуска, из-за чего, по слухам, Qualcomm могла перенаправить часть заказов обратно в TSMC. Разумеется, эти цифры основаны на оценках, а не на официальных данных самой корпорации, и показатели разнятся от источника к источнику. Тем не менее они достаточно стабильно указывают на то, что именно процент выхода годных кристаллов, а не дефицит мощностей или клиентов, выступает главным ограничением для 2-нм техпроцесса.

Чтобы компенсировать отставание, компания идет на серьезное снижение цен для поддержания конкурентоспособности. Появилась информация о сокращении стоимости 2-нм пластины примерно до 20 000 долларов, что почти на 33% дешевле цен предложений TSMC. Такой дисконт гарантированно привлечет чувствительных к стоимости клиентов, но сильно сократит маржинальность бизнеса на узле, который и так функционирует ниже порога окупаемости. Вести ценовую войну при отставании в качестве выхода продукции — крайне сложная задача с финансовой точки зрения, поэтому именно убытки подразделения определяют скорость восстановления.

Exynos и внешние заказчики

Главным якорным клиентом для 2-нм техпроцесса выступает собственное мобильное подразделение Samsung. Процессор Exynos 2600, созданный по нормативам SF2, стал первым коммерческим продуктом этого узла и устанавливается в базовые версии смартфонов Galaxy S26 и S26+. При этом топовый Galaxy S26 Ultra во всем мире работает на чипсетах Snapdragon от Qualcomm, а объемы поставок Exynos покрывают лишь от четверти до трети тиража серии S26 из-за ограничений по выходу годных кристаллов. Преемник в лице Exynos 2700 на базе SF2P уже разрабатывается для линейки Galaxy S27, а его серийный выпуск запланирован на вторую половину текущего года. Использование собственных процессоров для отладки техпроцесса перед привлечением сторонних заказчиков повторяет стратегию, которую компания применяла при внедрении 3 нм.

Что касается внешних партнеров, круг заказчиков на 2 нм пока остается узким. Наиболее крупным из подтвержденных клиентов на текущий момент является японская компания Preferred Networks, которая заключила с Samsung соглашение о производстве чипов по техпроцессу SF2 в комплексе с 2.5D-упаковкой для систем искусственного интеллекта.

HBM4

Пожалуй, наиболее сильные позиции интегрированная модель занимает именно в сегменте памяти, а не логических микросхем. Компания объявила о поставках первых в отрасли коммерческих чипов HBM4 в феврале текущего года: скорость работы составила 11,7 Гбит/с на контакт при базовом стандарте JEDEC в 8 Гбит/с с возможностью масштабирования до 13 Гбит/с и общей пропускной способностью стека до 3,3 ТБ/с. Базовый логический кристалл под таким стеком изготавливается по собственному 4-нм техпроцессу литейного производства Samsung. Это позволяет компании производить базовую матрицу самостоятельно, избавляя от необходимости закупать ее у TSMC, как это вынуждены делать некоторые конкуренты. Кроме того, поступают сообщения о планах перенести выпуск базового кристалла для заказных модулей HBM на 2-нм техпроцесс для получения образцов уже в 2027 году.

Подобный технологический потенциал привел к успешной сертификации: в июне генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг подтвердил, что Samsung, SK hynix и Micron прошли квалификационный отбор на поставку HBM4 для аппаратной платформы Vera Rubin. Samsung пока остается более мелким поставщиком: по оценкам аналитиков, на долю SK hynix приходится примерно две трети общего объема поставок HBM4 для Nvidia, тогда как доля Samsung находится в диапазоне около 20–25%. Тем не менее, успешное прохождение сертификации всеми тремя вендорами завершает период, когда Samsung была отрезана от поставок памяти высшего уровня для Nvidia.

Компания также предприняла опережающие шаги в следующем технологическом поколении, начав поставки образцов HBM4E примерно в мае. По заявлениям производителя, пропускная способность таких решений достигает примерно 3,6 ТБ/с. Samsung активно продвигает заказные модули HBM с логическими кристаллами, адаптированными под конкретных производителей ускорителей, включая Nvidia, AMD, Broadcom и операторов гипермасштабируемых дата-центров, а выпуск образцов запланирован на 2027 год. Компания SK hynix представила собственные образцы HBM4E всего на несколько недель позже. Хотя временной отрыв измеряется неделями, а не целыми поколениями, именно память остается тем направлением бизнеса, где корпорация ведет борьбу на передовой, а не догоняет конкурентов.

Твердое второе место

За последний год руководство литейного бизнеса Samsung менялось дважды: в ноябре 2024 года во главе подразделения встал Хан Джин Ман, а в ноябре 2025 года в структуре дивизиона Device Solutions была восстановлена система двух со-генеральных директоров — Чун Ён Хюн возглавил весь дивизион DS, а Ро Тэ Мун был назначен вторым со-директором. Этим кадровым перестановкам предшествовал период, когда убытки литейного бизнеса и направления System LSI, по оценкам аналитиков, достигли 3,18 триллиона вон по итогам 2024 года. К третьему кварталу 2025 года они сократились менее чем до 1 триллиона вон на фоне восстановления загрузки производственных мощностей примерно с 50% в конце 2024 года до почти 80% в начале 2026 года.

Председатель совета директоров Ли Джэ Ён публично исключил возможность выделения литейного подразделения в самостоятельную структуру для разрешения конфликта интересов, который создает одновременная работа контрактных заводов и собственного дизайнерского подразделения Exynos для сторонних fabless-клиентов. По его словам, компания намерена развивать этот бизнес, а не разделять его. Финансовые вливания за этим этапом восстановления стоят масштабные: в своем прогнозе на 2026 год Samsung заложила более 110 триллионов вон в виде совокупных капитальных затрат на инфраструктуру и научно-исследовательские разработки. Дивизион Device Solutions забирает основную часть капитальных вложений первого квартала в размере 10,2 триллиона вон, а инвестиции в наращивание производства в Тейлоре начнут увеличиваться со второго квартала.

В конечном счете корпорация финансирует масштабное развертывание передовых технологических норм по обе стороны Тихого океана в тот момент, когда управляющее этими заводами подразделение только начинает возвращаться к безубыточности. По данным TrendForce, в четвертом квартале 2025 года выручка TSMC от контрактного производства составила 33,7 миллиарда долларов против примерно 3,4 миллиарда долларов у литейного подразделения Samsung, оставив южнокорейского гиганта на второй строчке примерно с 7% рынка. Уже в первом квартале 2026 года те же источники зафиксировали показатели TSMC на уровне 35,86 миллиарда долларов, а Samsung — на отметке около 3,2 миллиарда долларов, что означает разрыв примерно в 11 раз.

Сообщается, что Samsung ставит перед собой цель вывести литейный бизнес на окупаемость к 2027 году и довести рыночную долю до 20%, а собственные прогнозы компании на 2026 год обещают двузначный рост выручки и улучшение показателей прибыльности за счет передовых техпроцессов. Кроме того, по имеющимся данным, руководство рассматривает возможность строительства второго предприятия в Тейлоре и переносит часть управленческого аппарата литейного бизнеса ближе к своим американским объектам.

Клиенты компании выступают явным сигналом того, что она активно закладывает в планы спрос, который еще предстоит конвертировать в реальные заказы. Реализация этих планов напрямую зависит от показателя, который ранее создал проблемы для запуска производства в Тейлоре и графика работы с Tesla. Массовый выпуск чипов по техпроцессу SF2 и наличие ключевого заказчика уже обеспечены, однако главным фактором, который позволит сократить отставание от TSMC или приведет к неудаче, остается выход годной продукции, способный сделать рентабельными предприятие стоимостью 44 миллиарда долларов и контракт на 16,5 миллиарда.

Источник: tomshardware.com