Samsung откладывает внедрение High-NA EUV до 1-нм техпроцесса в 2030 году

Компания Samsung Foundry продолжает планомерное обновление своего парка оборудования для производства полупроводников. Несмотря на коммерческую доступность литографических систем нового поколения, корпорация до сих пор официально не взяла на себя обязательств по использованию инструментов High-NA EUV от ASML. Согласно свежим данным ZDNet Korea, эта позиция изменится лишь с началом разработки 1-нм техпроцесса, который запланирован на 2030 год. Это решение делает Samsung одним из последних крупных игроков в индустрии, кто решится на внедрение столь высокотехнологичного оборудования в свои производственные линии.

Для сравнения, ситуация у конкурентов выглядит иначе: Intel постепенно масштабирует свой узел 14A, уже приступая к этапу рискового производства с использованием инструментов High-NA EUV, тогда как TSMC планирует внедрить данное оборудование в 2029 году. Тот факт, что Samsung оказывается в числе последних в этом списке, вовсе не свидетельствует о спешке или отставании; на текущий момент компания демонстрирует отличную эффективность, используя имеющиеся системы с низким значением числовой апертуры (Low-NA EUV).

Экономическая целесообразность и стратегия «Low-NA»

Руководство TSMC неоднократно подчеркивало, что способно поддерживать конкурентное преимущество, опираясь исключительно на нынешнюю технологию Low-NA EUV. Компания продолжает успешно масштабировать техпроцессы, внедряя качественные улучшения с каждым последующим поколением. Важным фактором здесь является финансовая составляющая: инструменты Low-NA обходятся предприятиям вдвое дешевле передовых систем High-NA. Стоимость самой продвинутой установки High-NA EUV от компании ASML достигает отметки в 400 миллионов долларов — это невероятно высокая сумма даже по меркам современных полупроводниковых фабрик. В связи с этим TSMC пока сознательно воздерживается от использования этих машин, так как способна достичь схожих преимуществ с текущей технологией, и Samsung, по всей видимости, следует точно такой же экономической стратегии.

Многократное экспонирование как временная альтернатива

Современное применение литографии Low-NA EUV неразрывно связано с техникой под названием «multi-patterning» (многократное экспонирование). В рамках этого процесса литографическая установка выполняет несколько проходов, чтобы нанести необходимый рисунок на один слой полупроводниковой подложки. За счет выполнения двух последовательных циклов травления с использованием оборудования Low-NA, фабрики получают результаты, технически сопоставимые с экспонированием на High-NA, что позволяет эффективно снизить потребность в покупке нового дорогостоящего оборудования.

Тем не менее, у метода многократного экспонирования на базе Low-NA существуют определенные физические и технологические ограничения. Эти пределы будут преодолены лишь в будущем, посредством внедрения систем High-NA, но данная мера станет необходимой только для техпроцессов уровня 1 нм и ниже. В конечном счете, этот график полностью согласуется с актуальными планами Samsung Foundry по вводу оборудования High-NA в эксплуатацию, что делает дорожную карту компании вполне логичной и обоснованной с точки зрения инженерных ресурсов и рыночных реалий.

Источник: techpowerup.com