Tower Semiconductor инвестирует $4 млрд в японские мощности для производства оптических компонентов

Компания Tower Semiconductor в партнерстве с правительством Японии запускает масштабный проект по расширению производственной базы в стране. Суммарные вложения в размере 4 миллиардов долларов направлены на трансформацию региональных площадок в ключевой хаб по выпуску полупроводников для оптических коммуникаций. Данная инициатива предполагает двухэтапный план развития, включающий переоборудование простаивающих заводов и строительство новых линий, что позволит к 2029 году увеличить объем выпуска продукции в 40 раз по сравнению с показателями 2025 года. Технические инсайты данного проекта подчеркивают острую необходимость индустрии ИИ в высокоскоростных оптических соединениях.

Первый этап: модернизация и масштабирование

Реализация проекта стартует с инициативы, которую компания называет «Трек один». Этот этап включает в себя трансформацию законсервированного 200-мм предприятия Fab 6 в городе Араи (префектура Ниигата) в современный 300-мм завод. Новая площадка будет специализироваться на кремниевой фотонике (SiPho) и передовых методах корпусировки, где электронные интегральные схемы (EIC) объединяются с фотонными (PIC).

Параллельно будет наращиваться мощность уже работающего 300-мм предприятия Fab 7, расположенного вблизи города Уодзу (префектура Тояма). Данная площадка уже прошла квалификацию и занимается серийным производством SiGe EIC и SiPho PIC с использованием передовых техпроцессов, таких как 65-нм класс (TPS65SG) и 45-нм класс (TPS45PHD). Основная цель — максимально быстрое увеличение объема поставок оптических «движков» для нужд инфраструктуры искусственного интеллекта. Поэтапный ввод оборудования позволяет компании наращивать объемы производства без необходимости ожидания завершения строительства новых зданий. Завершение работ по первому этапу ожидается в четвертом квартале 2027 года, что, по прогнозам, обеспечит компании до 3,6 млрд долларов выручки и 1,2 млрд долларов чистой прибыли в 2028 финансовом году.

Второй этап: строительство новой фабрики

Более амбициозный «Трек два» подразумевает строительство еще одного полноценного 300-мм производственного комплекса непосредственно рядом с Fab 7 в Уодзу. Это значительно увеличит выпуск SiGe EIC и SiPho PIC. В конечном итоге Tower Semiconductor будет располагать двумя площадками в Японии для производства самих компонентов и заводом Fab 6 для сборки готовых оптических модулей.

Масштабные инвестиции обусловлены лидерством Tower на рынке контрактного производства полупроводников для оптической связи (доля более 80%), включая обслуживание ключевых игроков вроде Marvell. Вклад японского правительства через Министерство экономики, торговли и промышленности (METI) составляет 1 млрд долларов, остальные 3 млрд инвестирует сама компания. Хотя такие гиганты, как Intel или TSMC, сейчас опережают Tower в сфере совместной корпусировки (CPO), данные вложения создают фундамент для будущего лидерства компании в этом направлении. Ожидается, что к 2029 году производственная мощность достигнет эквивалента 45 000 пластин диаметром 300 мм в месяц.

Реструктуризация японских активов

Текущее расширение совпадает с серьезной перестройкой структуры присутствия Tower в Японии. История компании в регионе началась в 2014 году с создания совместного предприятия TPSCo с Panasonic. После ухода Panasonic из полупроводникового бизнеса в 2020 году доля перешла к Nuvoton Technology Corporation Japan (NTCJ).

Сейчас Tower и Nuvoton проводят процедуру развода: Tower берет под полный контроль Fab 7 и бизнес 300-мм литейного производства, в то время как Nuvoton консолидирует TPSCo и предприятие Fab 5 в Тонами. Таким образом, проект, начатый десятилетие назад как относительно бюджетный способ получения мощностей, эволюционирует в мощный независимый хаб по производству фотоники, что фундаментально изменит позиции Tower Semiconductor на мировом рынке высокотехнологичного производства.